- القياس الضوئي: شعاع مزدوج
- نوع المونوكروماتور: تشيرني-تيرنر
- البعد البؤري: 200 مم
- الشبكة: 1600 خط/مم
- نطاق النطاق الترددي: 1 نانومتر أو 2 نانومتر (SP-IUV8)؛ 0.5 نانومتر، 1 نانومتر، 2 نانومتر، 4 نانومتر، 5 نانومتر (SP-IUV9)
-
-
- نطاق الطول الموجي: 190 نانومتر ~ 1100 نانومتر
- دقة الطول الموجي: ±0.3 نانومتر
- النطاق الطيفي: 1 نانومتر / 2 نانومتر
-
- نطاق الطول الموجي: 190-1000 نانومتر
- دقة الطول الموجي: ±2 نانومتر
- منفذ إخراج البيانات: منفذ USB ومنفذ متوازي (الطابعة)
- شاشة LCD مقاس 2.5 بوصة
- قراءة نتائج متعددة
-
وضع التحليل: امتصاص اللهب، انبعاث اللهب، امتصاص الذرات في فرن الجرافيت وتوليد الهيدريد- نطاق WL: 190 – 900 نانومتر
- دقة WL: ≤±0.5 نانومتر
- إمكانية تكرار WL: ≤0.3 نانومتر (اتجاه واحد)
- عرض النطاق الترددي: 0.2 نانومتر، 0.4 نانومتر، 0.7 نانومتر، 1.4 نانومتر، 2.4 نانومتر، 5.0 نانومتر
-
- نطاق الطول الموجي: 320 نانومتر ~ 1100 نانومتر
- دقة الطول الموجي: ±1 نانومتر
- سرعة مسح عالية
- تخزين القرص U دون اتصال بالإنترنت
-
- نطاق الطول الموجي: 325-1000 نانومتر
- دقة الطول الموجي: ±2 نانومتر
- الإخراج: منفذ USB ومنفذ متوازي (الطابعة)
- يتم التحكم به بواسطة المعالج الدقيق
- أحادي اللون الشبكي
- تصميم مضغوط، سهل الحمل
- أربعة أوضاع عرض
-
- نطاق الطول الموجي: 325-1000 نانومتر، 340-1000 نانومتر
- دقة الطول الموجي: ±2 نانومتر
- نوع المونوكروماتور: تشيرني-تيرنر
- الكاشف: خلية ضوئية سيليكونية
- تحويل T/A أوتوماتيكي دقيق
-
- نطاق الطول الموجي: 360 نانومتر - 1000 نانومتر
- دقة الطول الموجي: ±3.0 نانومتر
- مقاوم للمذيبات وكذلك الأحماض/القلويات القوية
- حامل خلية بأربعة أوضاع
-
- نوع المونوكروماتور: تشيرني-تيرنر
- نطاق الطول الموجي: 200-1000 نانومتر
- دقة الطول الموجي: ±2 نانومتر
- حجرة العينة لوحدات القياس 5-50 مم
-
- الوضع الطيفي: الشبكة المقعرة
- نطاق الطول الموجي: 400-700 نانومتر
- فترة الطول الموجي: 10 نانومتر
- البصريات الهندسية D/8
-
- نطاق الطول الموجي: 190 نانومتر ~ 1100 نانومتر
- دقة الطول الموجي: ±0.5 نانومتر
- عمر طويل وضوء ضال منخفض
- المسح الضوئي عالي السرعة
-
- نطاق الطول الموجي: 400~700 نانومتر
- فترة الطول الموجي: 10 نانومتر
- د/8 هيكل بصري هندسي
-
- الوضع الطيفي: الشبكة المسطحة
- نطاق الطول الموجي: 400~700 نانومتر
- فترة الطول الموجي: 10 نانومتر
- البنية البصرية الهندسية D/8
- الإضاءة: D65، A، C، D50، D55، D75، F1، F2(CWF)، F3، F4، F5، F6، F7(DLF)، F8، F9، F10(TPL5)، F11(TL84)، F12(TL83/U30)
-
- نطاق الطول الموجي: 360-780 نانومتر
- مستشعر CMOS مزدوج المصفوفة مكون من 256 عنصر صورة
- تحديد فتحة القياس تلقائيًا
- كاشف مصدر الضوء المستقل
-
- نطاق الطول الموجي: 360-780 نانومتر
- طول الموجة: 10 نانومتر
- تكوين عالي للأجهزة
- مستشعر CMOS مزدوج المصفوفة مكون من 256 عنصر صورة
-
- الأغذية والأقمشة والورق والأجزاء البلاستيكية ومواد البناء
- الأخطاء بين كل جهاز: ≤0.50ΔE*ab
- مصدر الضوء: D65
- فتحة القياس: Φ8 مم
خطأ: نموذج الاتصال غير موجود.
Get Social